功率器件栅极驱动电路设计核心参数

一、驱动电流与功率

1. 驱动电流：需满足栅极电容快速充放电需求，以缩短开关时间、降低损耗；IGBT或功率MOSFET栅极电容较大时，电流不足会减慢开关速度、增加导通损耗。

2. 功耗优化：驱动电路平均功耗与开关频率正相关，需通过栅极电阻和驱动电压调控；SiC MOSFET需避免低VGS工况（负温度系数易致并联损坏），确保工作于正温度系数区间。

二、时序参数

1. 传播延迟：含上升/下降延迟（tDHL），影响开关同步性；延迟差异易致脉宽失真，需通过死区时间设计避免直通。

2. 边沿速率：由驱动电流与负载电容决定，需平衡开关速度与电磁干扰（EMI）。

三、隔离与安全

1. 电气隔离：高压侧与控制侧必须隔离，防止高压窜入损坏控制电路。

2. 电容选型：缓冲电容需适配高频开关特性，禁用电解电容。

四、电阻与电容设计

1. 栅极电阻（Rg）：直接影响开关速度与损耗——阻值过小易引发过冲，过大则增加开关时间。

2. 电容容值：需满足开关频率的纹波电流要求，通常为功率器件输入电容的10倍以上。

五、并联特性

传统SiC MOSFET低VGS时不宜并联；新一代产品（如M3系列）全温度范围均具备正温度系数，并联兼容性提升。

光耦在栅极驱动中的核心作用

电气隔离：实现控制侧（低压）与功率器件侧（高压）的电位隔离，阻断共地干扰和高压击穿风险。

信号传输：将低压侧的 PWM 控制信号准确传递到高压侧，保证驱动信号的完整性。

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