产品展示
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碳化硅肖特基二极管 碳化硅SiC能够以高频肖特基势垒二极管SBD结构的实现600V以上的高耐压快恢复二极管（硅Si的SBD最高耐压仅为200V左右），其导通压降比硅Si快恢复二极管低很多，关断恢复时间小，关断损耗低，产生的电磁干扰EMI小。采用SiC-SBD替换现在主流产品硅Si 快恢复二极管FRD，可大幅度减少总损耗，提高电源的效率，并且通过高频工作实现电感电容等无源器件的小型化，而且电磁干扰EMI更低。碳化硅SBD可广泛应用于空调、电源、光伏发电系统中的逆变器、电动汽车的电机拖动系统及快速充电器等。
碳化硅肖特基二极管SL12005B VRRM（V）：1200V IF（A）：5A VF Typ（V）：1.8V PD@TC=25℃（W）：110W Package：TO-220-2
公海555000JC线路检测中心slkor碳化硅肖特基二极管SL12010B VRRM（V）：1200V IF（A）：10.5A VF Typ（V）：1.8V PD@TC=25℃（W）：153W Package：TO-220-2
碳化硅肖特基二极管SL12015B VRRM（V）：1200V IF（A）：15A VF Typ（V）：1.8V PD@TC=25℃（W）：220W Package：TO-247-2
碳化硅肖特基二极管SL12020B VRRM（V）：1200V IF（A）：22A VF Typ（V）：1.8V PD@TC=25℃（W）：272W Package：TO-247-2
碳化硅肖特基二极管SL12030B VRRM（V）：1200V IF（A）：30A VF Typ（V）：1.8V PD@TC=25℃（W）：288W Package：TO-247-2
碳化硅肖特基二极管SL12040B VRRM（V）：1200V IF（A）：40A VF Typ（V）：1.8V PD@TC=25℃（W）：385W Package：TO-247-2
1200V 5A 1.8V 110W TO-220-2
1200V 10.5A 1.8V 153W TO-220-2
1200V 15A 1.8V 220W TO-247-2
1200V 22A 1.8V 272W TO-247-2
1200V 30A 1.8V 288W TO-247-2
1200V 40A 1.8V 385W TO-247-2

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