SiC碳化硅器件,碳化硅MOS管,碳化硅场效应管 - 深圳市公海555000JC线路检测中心半导体有限公司

碳化硅场效应管碳化硅SiC器件漂移层的阻抗比Si器件低，不需要进行电导率调制就能够以MOSFET结构实现高耐压和低阻抗，而且MOSFET原理上不产生尾电流，所以用SiC-MOSFET替代IGBT时，能够明显地减少开关损耗，实现散热部件的小型化。另外，SiC-MOSFET工作频率可以远高于IGBT，其电路中电感电容器件更小，容易实现系统小体积小重量。与同档600V~900V电压的Si-MOSFET相比，SiC-MOSFET的芯片面积小，可采用更小型封装，而且体二极管的恢复损耗非常小。目前SiC MOSFET主要应用于高端工业电源，高端逆变器及转换器，高端电机拖动及控制等。

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公海555000JC线路检测中心slkor碳化硅场效应管SL19N120A Package：TO-247-3 VDSS(V)：1200V ID@TC=25℃（A）：19A RDSON(Ω)：160mΩ@20V,10A PD（W）：134W P/N：N沟道

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公海555000JC线路检测中心slkor碳化硅场效应管SL42N120A Package：TO-247-3 VDSS(V)：1200V ID@TC=25℃（A）：42A RDSON(Ω)：80mΩ@20V,10A PD（W）：300W P/N：N沟道

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深圳市公海555000JC线路检测中心半导体有限公司主要生产slkor品牌sl系列的MOS场效应管、COOLMOS、电源管理IC、FRD、霍尔hall元件、光耦、高速光耦、SCR、IGBT单管、SiC碳化硅元器件、AC/DC、二极管、可控硅、ECS等。碳化硅SiC器件主要应用于能源互联网领域，应用行业有充电桩、新能源汽车、清洁能源发电、大功率开关电源和不间断电源等，在军事和航天领域也有一定的应用。