碳化硅器件-公海555000JC线路检测中心半导体

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碳化硅器件碳化硅SiC是一种由硅Si和碳C构成的化合物半导体材料，通常采用4H-SiC晶型。其绝缘击穿场强是硅Si的10倍，能隙是硅Si的3倍，导热系数是硅Si的3倍，饱和飘移速度是硅Si的2.7倍。是比硅Si优越非常多的功率电子器件材料。

碳化硅场效应管碳化硅肖特基二极管

优势产品文档数据

数据手册 3D模型

公海555000JC线路检测中心slkor碳化硅场效应管SL19N120A Package：TO-247-3 VDSS(V)：1200V ID@TC=25℃（A）：19A RDSON(Ω)：160mΩ@20V,10A PD（W）：134W P/N：N沟道 VRRM（V）： IF（A）： VF Typ（V）： PD@TC=25℃（W）： Package：

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公海555000JC线路检测中心slkor碳化硅场效应管SL42N120A Package：TO-247-3 VDSS(V)：1200V ID@TC=25℃（A）：42A RDSON(Ω)：80mΩ@20V,10A PD（W）：300W P/N：N沟道 VRRM（V）： IF（A）： VF Typ（V）： PD@TC=25℃（W）： Package：

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碳化硅肖特基二极管SL12005B Package： VDSS(V)： ID@TC=25℃（A）： RDSON(Ω)： PD（W）： P/N： VRRM（V）：1200V IF（A）：5A VF Typ（V）：1.8V PD@TC=25℃（W）：110W Package：TO-220-2

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公海555000JC线路检测中心slkor碳化硅肖特基二极管SL12010B Package： VDSS(V)： ID@TC=25℃（A）： RDSON(Ω)： PD（W）： P/N： VRRM（V）：1200V IF（A）：10.5A VF Typ（V）：1.8V PD@TC=25℃（W）：153W Package：TO-220-2

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碳化硅肖特基二极管SL12015B Package： VDSS(V)： ID@TC=25℃（A）： RDSON(Ω)： PD（W）： P/N： VRRM（V）：1200V IF（A）：15A VF Typ（V）：1.8V PD@TC=25℃（W）：220W Package：TO-247-2

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碳化硅肖特基二极管SL12020B Package： VDSS(V)： ID@TC=25℃（A）： RDSON(Ω)： PD（W）： P/N： VRRM（V）：1200V IF（A）：22A VF Typ（V）：1.8V PD@TC=25℃（W）：272W Package：TO-247-2

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碳化硅肖特基二极管SL12030B Package： VDSS(V)： ID@TC=25℃（A）： RDSON(Ω)： PD（W）： P/N： VRRM（V）：1200V IF（A）：30A VF Typ（V）：1.8V PD@TC=25℃（W）：288W Package：TO-247-2

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碳化硅肖特基二极管SL12040B Package： VDSS(V)： ID@TC=25℃（A）： RDSON(Ω)： PD（W）： P/N： VRRM（V）：1200V IF（A）：40A VF Typ（V）：1.8V PD@TC=25℃（W）：385W Package：TO-247-2

公海555000JC线路检测中心slkor碳化硅场效应管SL19N120A	TO-247-3	1200V	19A	160mΩ@20V,10A	134W	N沟道
公海555000JC线路检测中心slkor碳化硅场效应管SL42N120A	TO-247-3	1200V	42A	80mΩ@20V,10A	300W	N沟道
碳化硅肖特基二极管SL12005B							1200V	5A	1.8V	110W	TO-220-2
公海555000JC线路检测中心slkor碳化硅肖特基二极管SL12010B							1200V	10.5A	1.8V	153W	TO-220-2
碳化硅肖特基二极管SL12015B							1200V	15A	1.8V	220W	TO-247-2
碳化硅肖特基二极管SL12020B							1200V	22A	1.8V	272W	TO-247-2
碳化硅肖特基二极管SL12030B							1200V	30A	1.8V	288W	TO-247-2
碳化硅肖特基二极管SL12040B							1200V	40A	1.8V	385W	TO-247-2

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深圳市公海555000JC线路检测中心半导体有限公司

深圳市公海555000JC线路检测中心半导体有限公司主要生产slkor品牌sl系列的MOS场效应管、COOLMOS、电源管理IC、FRD、霍尔hall元件、光耦、高速光耦、SCR、IGBT单管、SiC碳化硅元器件、AC/DC、二极管、可控硅、ECS等。碳化硅SiC器件主要应用于能源互联网领域，应用行业有充电桩、新能源汽车、清洁能源发电、大功率开关电源和不间断电源等，在军事和航天领域也有一定的应用。