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描述晶圆薄膜厚度的单位：埃
2024-12-18
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1、什么是埃（Angstrom）？ 埃（符号：?）是一种非常小的长度单位，主要用于表示微观领域的尺度，例如原子、分子之间的距离，或者晶圆制造中的薄膜厚度。1 ? 等于 (10^{-10}) 米，也就是0.1纳米（nm）。为了更直观地理解这个概念，我们可以通过以下比喻说明： 一根人的头发直径约为70,000纳米，也就是700,000 ?。 如果将1米想象为地球的直径，那么1 ? 就像是地球表面上一粒小沙子的直径。 在集成电路制造中，埃单位的引入是因为它精确而便捷，尤其适用于描述极薄的
SMIC MPW班车表中如何理解AT、MV、HE、ATV？
2024-12-18
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"AT"、"MV"、"HE"、"ATV"实际上是SMIC在其晶圆制造工艺中使用的一些标识符，通常与特定的工艺、技术类型和特色流程相关。SMIC 2025 MPW 班车表如下： 1. AT — Advanced Embedded Flash (Cu-BEOL with AL-TM2 + RDL process) "AT"代表“Advanced Embedded Flash”
晶圆刻蚀工艺中的Qtime管控
2024-12-18
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Qtime管控（Queue Time Control）是半导体制造过程中一个重要的和效率管理环节，尤其在刻蚀工艺（ETCH）中显得尤为重要。 一、Qtime的定义和重要性 Qtime（Queue Time）即“排队时间”，是指在生产流程中，某一工序或设备在接收到任务后，等待处理的时间。具体来说，Qtime是指晶圆在一个工序的前一工序完成到该工序开始的时间间隔。在刻蚀工艺中，Qtime主要是指晶圆在不同的刻蚀步骤之间的等待时间，或者从晶圆进入刻蚀机到开始刻蚀的时间。 Qtime的管控至关重
SOC设计的核心思想、优势以及跟系统级封装的对比
2024-10-22
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SoC（ on Chip）作为芯片设计的主流，已经成为现代集成电路技术发展的核心。 1、SoC设计的核心思想 从结构上来看，SoC可以理解为把一个完整系统的所有功能电路都设计并集成在一个芯片中，形成一个高度集成的单元。传统的电子系统设计通常是将不同的功能模块分别制作成独立的芯片，然后通过电路板上的连接将这些芯片集成到一个系统中。而SoC技术则直接将这些模块在芯片制造时集成在一起，形成一个系统化的单芯片解决方案。 我们可以用“多合一工具”来形象化这个过程。传统的电子设计就像是你在使
SOC跟SIP（系统级封装）的区别在哪里？
2024-10-22
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SoC（系统级芯片）与SiP（系统级封装）两种技术都是现代集成电路发展的重要里程碑，它们都能实现电子系统的小型化、高效化和集成化。 一、SoC（系统级芯片）和SiP（系统级封装）的定义及基本思路 SoC（System on Chip）——将整个系统“挤”进一个芯片 SoC 就像一栋高楼，把所有的功能模块都设计、集成到同一个物理芯片上。SoC的核心思想是将整个电子系统的核心部件，包括处理器（CPU）、存储器、通信模块、模拟电路、传感器接口等多种不同功能模块全部集成在一个芯片上。SoC的优势
晶圆工艺优化或失效分析相关术语
2024-10-15
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1. Defect “Defect”指的是在晶圆生产过程中出现的缺陷，可能是由于工艺不稳定、设备问题或材料瑕疵导致的。这些缺陷可能包括颗粒污染、图形失真、晶体结构破损等，都会影响最终产品的质量。 通俗解释：就是生产过程中出现的“瑕疵”或“不良”，这些问题可能影响芯片的正常功能。 2. Fail “Fail”是指某个工艺步骤或测试结果失败，不符合生产要求。例如，在测试阶段如果芯片的电性特征不符合标准，就被视为"Fail"。Fail的原因可能是生产中的设备故障、材料
干法刻蚀的原理、工艺流程、评价参数及应用
2024-10-15
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RIE干法刻蚀技术凭借其优越的各向异性刻蚀能力和良好的选择比控制，已成为半导体制造中不可或缺的核心工艺。 一、RIE干法刻蚀技术的基本原理 RIE（Reactive Ion Etching，反应离子刻蚀）作为一种主流的干法刻蚀技术，通过等离子体中的活性物质对材料表面进行选择性刻蚀，以达到精确移除材料的目的。 图：干法刻蚀概要 RIE刻蚀技术属于一种等离子体辅助的干法刻蚀工艺。刻蚀过程中，通过在反应腔内引入刻蚀气体并施加射频电场，在电场作用下刻蚀气体被电离和激发，形成等离子体
如何理解晶圆制造中的Second Source
2024-10-15
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在半导体制造和晶圆工艺设备维护中，"Second Source"（二次来源）指的是使用非原厂供应商生产的零件或耗材来替代原厂零件。这种策略有助于降低成本、减少对单一供应商的依赖，同时确保制造的持续性和灵活性。 1. 什么是Second Source？ Second Source是指在生产制造过程中，为了降低风险、提高设备稳定性或控制成本，除了从设备原厂（例如AMAT、LAM、TEL等公司）获取零件，还会选择其他经过认证的供应商提供的替代零件。关键是这些替代零件需要在实际工艺
深入理解晶圆生产中的SPC系统
2024-10-15
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SPC (Statistical Process Control) 是晶圆生产工艺中非常重要的工具，用于监控、控制和改进制造过程中各个环节的稳定性。 1. SPC 系统的概述 SPC 是一种通过统计方法监控和控制制造过程的方法。其核心是通过实时数据的采集和分析来检测生产过程中是否有异常情况发生，从而帮助工程师做出及时的调整和决策。SPC的目标是在生产过程中减少变异，确保产品质量稳定并符合规格。 SPC在蚀刻工艺中用于： 监控关键设备参数（如蚀刻速率、RF功率、腔体压力、温度等）
晶圆材料的生产工艺比较
2024-10-14
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硅片是现代电子产业的核心材料，广泛应用于集成电路、太阳能电池、MEMS等领域。硅片（wafer）的生产工艺对其质量、性能和后续的应用至关重要。硅基集成电路工艺中，硅片的纯度、掺杂浓度、晶体结构等参数会直接影响到器件的性能。在硅片生产中，最常用的两种工艺是直拉法（Czochralski，简称CZ法）和区熔法（Float-Zone，简称FZ法）。 一、硅材料的基础知识 在讨论硅片生产工艺之前，我们先了解一下硅材料的基本特性。硅是半导体工业中最常用的材料，因为它具有以下优点：
通俗理解晶圆制造中的离子注入机台
2024-10-14
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离子注入过程就像是一个高速公路上的投射系统，从离子源开始“起步”，通过加速和质量分离进行挑选，经过加速通道达到高速，然后通过镜头和偏转装置精准瞄准，最终将晶圆作为终点，精准完成掺杂。离子注入机（Ion Implanter）的组成如下： 1. 离子源（Ion Source） 离子源是离子注入的起点。在这里，掺杂物（通常为气态，如三氟化硼，BF?）首先被离子化。就像你想在一杯咖啡里加入糖，但糖是固体，所以你得先把它搅拌均匀才能分散开。类似的道理，在掺杂过程中，我们需要将气体
电子元器件的下一站是出海？
2024-08-14
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欧美→日本、韩国和中国台湾→中国大陆→东南亚等。最近5年，由于东南亚具备人口红利、劳动力成本、巨大的需求等优势，中低端的电子产业逐渐从中国大陆转移到越南等东南亚国家。下面以越南为例。
晶圆代工巨头台积电创始人张忠谋
2024-08-14
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张忠谋，中国台湾省晶圆制造之开创者也。祖籍浙江宁波，少时聪慧好学，天资卓绝。生于1931年，家道书香，父母敦教，读书不辍。然抗战时期，民生艰难，辗转避乱，然其志不改，学业精进。
?英伟达AI芯片A100 A800 H100 H800 B200，不要再傻傻分不清！
2024-06-20
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今年3月份，英伟达发布了Blackwell B200，号称全球最强的 AI 芯片。它与之前的A100、A800、H100、H800有怎样的不同?
创造历史！英伟达登顶全球市值第一，美科技股三巨头总市值近10万亿美金
2024-06-20
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北京时间6月19日凌晨1点01分，人工智能浪潮催生的芯片巨头英伟达，盘中市值达到3.33万亿美元，首度登顶全球市值第一宝座。
众人看好的光芯片，国产有什么机会？
2022-11-07
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早在1979年，我国科学家钱学森就看好光子学，并围绕光子学提出了光子工业的概念，而到现在很多设想依然没有实现，许多价值还有待挖掘。[1] 如今，光芯片代表的光子学正与电子学引发一场科学革命，芯片从电到光，将是我国实现赶超的战略机遇[2]。光子革命已至，但若要光为人所用，其实也没有想象中那样容易。 本文是“国产替代”系列的第十四篇，关注光芯片国产替代。在本文中，你将了解到：光芯片到底是
ARM新规，芯片行业震动丨X86、ARM、RISC-V和MIPS对比汇总
2022-11-07
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近日ARM推出了一则新规则，内容是“2024年后，基于Arm架构的SOC中不再允许使用外部GPU、NPU或ISP“。 换言之，从2025年开始，如果还想使用ARM公版CPU的话，那就必须搭配使用ARM公版GPU、NPU以及ISP。 ARM是半导体行业真正的上游巨头，全球绝大部分半导体厂商用的都是其推出的公版架构，所以新规则一经发布，立马引发轩然大波，其中以高通、三星、联发科反应尤甚。 高通、三星、联发科作为半导体巨头，其CPU全部使用的是来自ARM公版架构，但高通与三星都没有用A
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