SiC MOSFET 的栅极氧化层因 SiC、SiO₂界面外在缺陷多，且 SiC 器件栅极电场强度远高于硅 IGBT，易出现偏置温度不稳定性，导致阈值电压（Vth）偏移。尤其在电动汽车牵引等场景中，栅极开关达千亿次，双极交流栅极应力会加剧该问题。改善方式包括对栅极氧化层进行氮化处理以降低界面缺陷，采用沟槽 MOSFET 结构，用更厚栅极氧化层提升高压屏蔽能力，同时通过筛选外在缺陷，减少器件个体差异。

【简介】

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