TVS-肖特基二极管-霍尔元件-可控硅-MOS管 - 深圳市公海555000JC线路检测中心半导体有限公司

首页产品分类功率器件 MOS场效应管高压MOS管

显示3D模型

高压MOS管SL4N65F

SL4N65F是N沟道MOS管，具有650V漏源电压（Vdss）和4A的连续漏极电流（Id）。功率为23.3W，导通电阻为2.6Ω，阈值电压为4.5V，适用于中高压开关应用。其高功率处理能力和稳定性使其在电源管理系统中表现出色。

高压MOS管SL4N65F是一款N沟道MOS场效应管，具有650V漏源电压和4A连续漏极电流，适用于高电压、大电流场合。采用TO-220F封装，便于安装和散热。

下载数据手册在线咨询

产品详情产品文档技术支持

产品名称：高压MOS管SL4N65F

产品概述：

高压MOS管SL4N65F是一款N沟道MOS场效应管，具有650V漏源电压和4A连续漏极电流，适用于高电压、大电流场合。采用TO-220F封装，便于安装和散热。

性能参数：

- 最大漏极-源极电压：650V

- 最大漏极电流：4A

- 最大导通电阻：2.6Ω@10V,2A

- 阈值电压：4.5V@250A

- 输入电容：850pF@25V

- 反向传输电容：1.2nF@25V

- 栅极电荷：11nC@10V

- 工作温度范围：-55℃ ~ +150℃@(Tj)

应用领域：

高压MOS管SL4N65F广泛应用于需要承受高电压、大电流的场合，如电源、照明、电动工具等领域。

安装说明：

1. 请在无静电保护措施的情况下操作。

2. 安装前请清洁散热器和芯片表面，确保无尘、无油。

3. 芯片正面朝向散热片，用合适的螺丝固定。

4. 注意安装时不要损坏芯片，防止静电干扰。

注意事项：

1. 请勿将该器件用于超出规定条件的环境和用途。

2. 使用时请按照使用说明书正确操作，以免对器件造成损坏。

3. 禁止对器件进行改装和拆卸。

4. 当存储器件时，请避免超出规定的环境温度和湿度范围。

名称

标题

说明

SL4N65F.pdf

数据手册

支持

如果您需要设计/技术支持，请告知我们并填写应答表我们会尽快回复您。

服务热线

0755-83044319;手机：15626551216

北斗/GPS天线咨询

板端座子咨询

连接器咨询

获取产品资料

深圳市公海555000JC线路检测中心半导体有限公司

深圳市公海555000JC线路检测中心半导体有限公司主要生产slkor品牌sl系列的MOS场效应管、COOLMOS、电源管理IC、FRD、霍尔hall元件、光耦、高速光耦、SCR、IGBT单管、SiC碳化硅元器件、AC/DC、二极管、可控硅、ECS等。碳化硅SiC器件主要应用于能源互联网领域，应用行业有充电桩、新能源汽车、清洁能源发电、大功率开关电源和不间断电源等，在军事和航天领域也有一定的应用。