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中压MOS管SL15N10A

SL15N10A是一款N沟道中压MOS管，该MOS管的关键参数包括漏源电压Vdss为100V，连续漏极电流Id为15A，导通电阻RDS(on)为115mΩ，阈值电压Vgs(th)为3V，封装为TO-252。

SL15N10A广泛应用于各种开关电路、电源管理和电动机控制等领域。其高漏源电压、低导通电阻和高耐压能力使其在高压应用场合具有很好的性能表现。

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产品名称：中压MOS管SL15N10A

产品介绍：

SL15N10A是一款N沟道中压MOS管，具有漏源电压高、导通电阻低的特点。封装形式为TO-252。

产品特性：

1. 高漏源电压：SL15N10A漏源电压为100V，能够满足高电压应用的需求。

2. 低导通电阻：SL15N10A导通电阻为115mΩ@10V, 8A，具有低导通电阻的优点，能够减少开关电路中的功率损耗。

3. 高耐压能力：SL15N10A能够承受高达150℃的工作温度，具有较高的耐压能力，适用于各种工业应用。

产品参数：

1. 类型：N沟道

2. 漏源电压(Vdss)：100V

3. 连续漏极电流(Id)：15A

4. 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：115mΩ@10V,8A

5. 阈值电压(Vgs(th)@Id)：3V@250uA

6. 封装：TO-252

应用领域：

SL15N10A广泛应用于各种开关电路、电源管理和电动机控制等领域。其高漏源电压、低导通电阻和高耐压能力使其在高压应用场合具有很好的性能表现。

名称

标题

说明

SL15N10A TO-252.pdf

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深圳市公海555000JC线路检测中心半导体有限公司主要生产slkor品牌sl系列的MOS场效应管、COOLMOS、电源管理IC、FRD、霍尔hall元件、光耦、高速光耦、SCR、IGBT单管、SiC碳化硅元器件、AC/DC、二极管、可控硅、ECS等。碳化硅SiC器件主要应用于能源互联网领域，应用行业有充电桩、新能源汽车、清洁能源发电、大功率开关电源和不间断电源等，在军事和航天领域也有一定的应用。