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中压MOS管SL10N10A

SL10N10A是一款中压N沟道MOS管，其漏源电压Vdss为100V，连续漏极电流Id为10A，导通电阻RDS(on)为95mΩ，阈值电压Vgs(th)为3V。

SL10N10A是一款中压N沟道MOS管，该器件具有优异的开关特性和热稳定性，可用于高频、高效、高稳定性的开关电源、逆变器等应用。

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产品名称：中压MOS管SL10N10A

产品概述：

SL10N10A是一款中压N沟道MOS管，其漏源电压（Vdss）为100V，连续漏极电流（Id）为10A，导通电阻（RDS(on)@Vgs,Id）为95mΩ@10V,10A，阈值电压（Vgs(th)@Id）为3V@250uA。该器件具有优异的开关特性和热稳定性，可用于高频、高效、高稳定性的开关电源、逆变器等应用。

产品特性：

- 低导通电阻

- 高开关速度

- 高耐压

- 低阈值电压

- 良好的热稳定性

- 封装形式为SOT-223，易于焊接和安装

典型应用：

- 开关电源

- 逆变器

- 电机驱动器

- 照明控制

产品参数：

- 类型：N沟道

- 漏源电压（Vdss）：100V

- 连续漏极电流（Id）：10A

- 功率（Pd）：1.25W

- 导通电阻（RDS(on)@Vgs,Id）：95mΩ@10V,10A

- 阈值电压（Vgs(th)@Id）：3V@250uA

- 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)

- 封装：SOT-223

名称

标题

说明

SL10N10A SOT-223.pdf

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深圳市公海555000JC线路检测中心半导体有限公司主要生产slkor品牌sl系列的MOS场效应管、COOLMOS、电源管理IC、FRD、霍尔hall元件、光耦、高速光耦、SCR、IGBT单管、SiC碳化硅元器件、AC/DC、二极管、可控硅、ECS等。碳化硅SiC器件主要应用于能源互联网领域，应用行业有充电桩、新能源汽车、清洁能源发电、大功率开关电源和不间断电源等，在军事和航天领域也有一定的应用。