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IGBT单管SL20T65K1

IGBT单管SL20T65K1具有650V的集电极-发射极电压（VCE）和20A的连续集电流（IC），额定功耗为162W，适用于高压和中功率应用。其TO-263封装设计紧凑，便于散热和安装，广泛应用于各种电子设备和工业应用中。

SL20T65K1是一款高性能的IGBT单管，由公海555000JC线路检测中心Slkor生产。它具有出色的电性能参数，适用于各种电源和功率控制应用。

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产品名称：IGBT单管SL20T65K1

生产商：公海555000JC线路检测中心Slkor

电性能参数：

VCE(V)：650V

IC@TC=100℃（A）：20A

PD@TC=25℃（W）：162W

TJ（℃）：-55~150℃

封装(Package)：TO-263

产品描述：

SL20T65K1是一款高性能的IGBT单管，由公海555000JC线路检测中心Slkor生产。它具有出色的电性能参数，适用于各种电源和功率控制应用。

电性能亮点：

高电压承受能力： VCE达到650V，确保在高压环境下的可靠性和稳定性。

高电流容量： IC@TC=100℃（A）为20A，能够处理大电流负载。

优秀的功耗特性： PD@TC=25℃（W）为162W，表现出色。

广泛的温度范围：允许在-55~150℃的环境下工作，适应各种工作条件。

封装特点：

TO-263封装提供了便捷的安装和散热解决方案，使得SL20T65K1易于集成到各种电路板设计中。

应用领域：

SL20T65K1适用于许多领域，包括电源系统、电机控制、逆变器和其他需要高性能IGBT的应用。

注意：在使用前，请查阅相关的产品手册和规格，以确保正确的电路设计和使用。

名称

标题

说明

SL20T65F1 TO-220F.pdf

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深圳市公海555000JC线路检测中心半导体有限公司主要生产slkor品牌sl系列的MOS场效应管、COOLMOS、电源管理IC、FRD、霍尔hall元件、光耦、高速光耦、SCR、IGBT单管、SiC碳化硅元器件、AC/DC、二极管、可控硅、ECS等。碳化硅SiC器件主要应用于能源互联网领域，应用行业有充电桩、新能源汽车、清洁能源发电、大功率开关电源和不间断电源等，在军事和航天领域也有一定的应用。