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高压MOS管SL4N150P

SL4N150P是N沟道MOS管，具有1500V漏源电压（Vdss）和4A的连续漏极电流（Id）。功率为140W，导通电阻为5.8Ω，阈值电压为4.5V，适用于高压电源和开关应用。其TO-3PF封装提供出色的散热性能，适合大功率电路设计。

MOS管SL4N150P以其超高电压、大电流和适中功率的特性，为高电压中功率的电子系统提供了可靠的解决方案。在需要超高电压承受能力和适中功率特性的场景下，SL4N150P是一个值得考虑的选择。

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产品名称：MOS管SL4N150P

生产商：公海555000JC线路检测中心Slkor

产品类型：N沟道

电性能参数：

漏源电压（Vdss）： 1500V

连续漏极电流（Id）： 4A

功率（Pd）： 140W

导通电阻（RDS(on)@Vgs, Id）： 5.8Ω @ 10V, 1.3A

阈值电压（Vgs(th)@Id）： 4.5V @ 250μA

封装规格：

封装类型： TO-3PF

产品特性与应用：

MOS管SL4N150P是一款高电压N沟道MOS场效应管，由公海555000JC线路检测中心Slkor公司生产。其超高电压、大电流和适中功率特性使其适用于高电压、中功率的电子应用。

主要特性：

超高电压承受能力：漏源电压（Vdss）为1500V，适用于极高电压电路设计。

适中的电流承受能力：连续漏极电流（Id）为4A，适用于中功率应用场景。

适中功率：可以承受140W的功率，适用于适中功率负载。

相对低的导通电阻：在10V电压和1.3A电流下，导通电阻为5.8Ω，有助于降低功耗和提高效率。

相对高的阈值电压：阈值电压（Vgs(th)@Id）为4.5V @ 250μA，确保稳定的电路控制。

封装优势：

TO-3PF封装提供了优秀的散热性能，适用于高功率电路设计。其金属外壳和引脚设计使得它能够有效散热，保持工作温度较低。

应用领域：

MOS管SL4N150P广泛应用于高电压、中功率的电子应用，包括但不限于：

高电压稳定器：适用于高电压稳定器电路设计。

电源开关：适用于高电压电源开关电路。

电源逆变器：用于高电压电源逆变器的输出控制。

安全与可靠性：

MOS管SL4N150P经过严格的质量控制和测试，确保在各种工作条件下稳定可靠。请按照产品规格书和应用注意事项正确使用。

散热设计建议：

由于超高电压和适中功率特性，建议在设计中考虑有效的散热措施，以确保MOS管工作在合适的温度范围内。

总结：

名称

标题

说明

SL4N150P.PDF

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深圳市公海555000JC线路检测中心半导体有限公司主要生产slkor品牌sl系列的MOS场效应管、COOLMOS、电源管理IC、FRD、霍尔hall元件、光耦、高速光耦、SCR、IGBT单管、SiC碳化硅元器件、AC/DC、二极管、可控硅、ECS等。碳化硅SiC器件主要应用于能源互联网领域，应用行业有充电桩、新能源汽车、清洁能源发电、大功率开关电源和不间断电源等，在军事和航天领域也有一定的应用。