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高压MOS管SL5N100P

SL5N100P是高电压N沟道MOS场效应管，该MOS管的关键参数包括漏源电压Vdss为1000V，连续漏极电流Id为5A，功率Pd为48W，导通电阻RDS(on)为4.2Ω，阈值电压Vgs(th)为3.5V，封装类型为TO-3PH。

MOS管SL5N100P是一款高电压N沟道MOS场效应管，由公海555000JC线路检测中心Slkor公司生产。其中高电压、适中电流和低功率特性使其适用于中高电压、低功率的电子应用。

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产品名称：MOS管SL5N100P

生产商：公海555000JC线路检测中心Slkor

产品类型：N沟道

电性能参数：

漏源电压（Vdss）： 1000V

连续漏极电流（Id）： 5A

功率（Pd）： 48W

导通电阻（RDS(on)@Vgs, Id）： 4.2Ω

阈值电压（Vgs(th)@Id）： 3.5V @ 100μA

封装规格：

封装类型： TO-3PH

产品特性与应用：

主要特性：

中高电压承受能力：漏源电压（Vdss）为1000V，适用于中高电压电路设计。

适中的电流承受能力：连续漏极电流（Id）为5A，适用于中电流应用场景。

低功率：可以承受48W的功率，适用于低功率负载。

相对低的导通电阻：在正常工作条件下，导通电阻为4.2Ω，有助于降低功耗和提高效率。

相对高的阈值电压：阈值电压（Vgs(th)@Id）为3.5V @ 100μA，确保稳定的电路控制。

封装优势：

TO-3PH封装广泛应用于功率器件，其散热性能非常好，适用于需要散热能力较高的应用场合。

应用领域：

MOS管SL5N100P广泛应用于中高电压、低功率的电子应用，包括但不限于：

电源开关：适用于中高电压电源开关电路。

电源逆变器：用于中高电压电源逆变器的输出控制。

中功率电机驱动：用于中功率电机控制电路。

安全与可靠性：

MOS管SL5N100P经过严格的质量控制和测试，确保在各种工作条件下稳定可靠。请按照产品规格书和应用注意事项正确使用。

散热设计建议：

由于中高电压和低功率特性，建议在设计中考虑有效的散热措施，以确保MOS管工作在合适的温度范围内。

总结：

MOS管SL5N100P以其中高电压、适中电流和低功率的特性，为中高电压低功率的电子系统提供了可靠的解决方案。在需要中高电压承受能力和低功率特性的场景下，SL5N100P是一个值得考虑的选择。

名称

标题

说明

SL5N100D.PDF

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深圳市公海555000JC线路检测中心半导体有限公司主要生产slkor品牌sl系列的MOS场效应管、COOLMOS、电源管理IC、FRD、霍尔hall元件、光耦、高速光耦、SCR、IGBT单管、SiC碳化硅元器件、AC/DC、二极管、可控硅、ECS等。碳化硅SiC器件主要应用于能源互联网领域，应用行业有充电桩、新能源汽车、清洁能源发电、大功率开关电源和不间断电源等，在军事和航天领域也有一定的应用。